Modellierung des Avalancheeffekts in InAlAs/InGaAs-Heterobipolar-Transistoren: Physikalische Modellbildung auf der Grundlage von Material- und Geometrieparametern
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Modellierung des Avalancheeffekts in InAlAs/InGaAs-Heterobipolar-Transistoren
ISBN: 9783836467605 bzw. 3836467607, in Deutsch, Vdm Verlag Dr. Müller, Taschenbuch, neu.
buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
In modernen Heterobipolar-Transistoren führt der Avalancheeffekt aufgrund der dünnen Kollektoren und hohen Basisdotierungen zu einem besonders frühen Durchbruch. Da diese Transistoren jedoch gerade bei den höchstmöglichen Stromdichten ihre besten Hochfrequenzeigenschaften aufweisen ist ein präzises Modell des Avalancheeffekts auch für den regulären Betrieb notwendig, um bei der Schaltungsentwicklung bereits vor der Herstellung das Verhalten des Transistors beschreiben und simulieren zu können. Das hier vorgestellte verbesserte Kompaktmodell stellt konsequent den Zusammenhang zwischen dem Avalancheeffekt und den zugrundeliegenden Material- und Geometrieparametern her. Beispielhaft wird dies anhand eines InAlAs/InGaAs-Heterobipolartransistors gezeigt und auch experimentell verifiziert. Der physikalische Ansatz und die ausführliche Diskussion der Behandlung unterschiedlicher Ionisationskoeffizienten gewährleistet die Gültigkeit des Modells über die gesamte Klasse der alternativen Materialsysteme, denen im Gegensatz zu Silizium-Technologien auch eine nicht-vernachlässigbare Wärmeleitfähigkeit gemein ist.2008. 120 S. 220 mmVersandfertig in 3-5 Tagen, Softcover.
Modellierung des Avalancheeffekts in InAlAs/InGaAs-Heterobipolar-Transistoren (2008)
ISBN: 9783836467605 bzw. 3836467607, in Deutsch, Vdm Verlag Mrz 2008, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
This item is printed on demand - Print on Demand Titel. - In modernen Heterobipolar-Transistoren führt der Avalancheeffekt aufgrund der dünnen Kollektoren und hohen Basisdotierungen zu einem besonders frühen Durchbruch. Da diese Transistoren jedoch gerade bei den höchstmöglichen Stromdichten ihre besten Hochfrequenzeigenschaften aufweisen ist ein präzises Modell des Avalancheeffekts auch für den regulären Betrieb notwendig, um bei der Schaltungsentwicklung bereits vor der Herstellung das Verhalten des Transistors beschreiben und simulieren zu können. Das hier vorgestellte verbesserte Kompaktmodell stellt konsequent den Zusammenhang zwischen dem Avalancheeffekt und den zugrundeliegenden Material- und Geometrieparametern her. Beispielhaft wird dies anhand eines InAlAs/InGaAs-Heterobipolartransistors gezeigt und auch experimentell verifiziert. Der physikalische Ansatz und die ausführliche Diskussion der Behandlung unterschiedlicher Ionisationskoeffizienten gewährleistet die Gültigkeit des Modells über die gesamte Klasse der alternativen Materialsysteme, denen im Gegensatz zu Silizium-Technologien auch eine nicht-vernachlässigbare Wärmeleitfähigkeit gemein ist. 120 pp. Deutsch.
Modellierung des Avalancheeffekts in InAlAs/InGaAs-Heterobipolar-Transistoren (2008)
ISBN: 9783836467605 bzw. 3836467607, in Deutsch, Vdm Verlag Dr. Müller, gebundenes Buch, neu.
AHA-BUCH GmbH, [4009276].
- In modernen Heterobipolar-Transistoren führt der Avalancheeffekt aufgrund der dünnen Kollektoren und hohen Basisdotierungen zu einem besonders frühen Durchbruch. Da diese Transistoren jedoch gerade bei den höchstmöglichen Stromdichten ihre besten Hochfrequenzeigenschaften aufweisen ist ein präzises Modell des Avalancheeffekts auch für den regulären Betrieb notwendig, um bei der Schaltungsentwicklung bereits vor der Herstellung das Verhalten des Transistors beschreiben und simulieren zu können. Das hier vorgestellte verbesserte Kompaktmodell stellt konsequent den Zusammenhang zwischen dem Avalancheeffekt und den zugrundeliegenden Material- und Geometrieparametern her. Beispielhaft wird dies anhand eines InAlAs/InGaAs-Heterobipolartransistors gezeigt und auch experimentell verifiziert. Der physikalische Ansatz und die ausführliche Diskussion der Behandlung unterschiedlicher Ionisationskoeffizienten gewährleistet die Gültigkeit des Modells über die gesamte Klasse der alternativen Materialsysteme, denen im Gegensatz zu Silizium-Technologien auch eine nicht-vernachlässigbare Wärmeleitfähigkeit gemein ist. - Besorgungstitel - vorauss. Lieferzeit 3-5 Tage.. Kartoniert/Broschiert.
Modellierung des Avalancheeffekts in InAlAs/InGaAs-Heterobipolar-Transistoren (2014)
ISBN: 9783836467605 bzw. 3836467607, in Deutsch, VDM Verlag Dr. Müller E.K. Jan 2014, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware - In modernen Heterobipolar-Transistoren führt der Avalancheeffekt aufgrund der dünnen Kollektoren und hohen Basisdotierungen zu einem besonders frühen Durchbruch. Da diese Transistoren jedoch gerade bei den höchstmöglichen Stromdichten ihre besten Hochfrequenzeigenschaften aufweisen ist ein präzises Modell des Avalancheeffekts auch für den regulären Betrieb notwendig, um bei der Schaltungsentwicklung bereits vor der Herstellung das Verhalten des Transistors beschreiben und simulieren zu können. Das hier vorgestellte verbesserte Kompaktmodell stellt konsequent den Zusammenhang zwischen dem Avalancheeffekt und den zugrundeliegenden Material- und Geometrieparametern her. Beispielhaft wird dies anhand eines InAlAs/InGaAs-Heterobipolartransistors gezeigt und auch experimentell verifiziert. Der physikalische Ansatz und die ausführliche Diskussion der Behandlung unterschiedlicher Ionisationskoeffizienten gewährleistet die Gültigkeit des Modells über die gesamte Klasse der alternativen Materialsysteme, denen im Gegensatz zu Silizium-Technologien auch eine nicht-vernachlässigbare Wärmeleitfähigkeit gemein ist. 120 pp. Deutsch.
Modellierung des Avalancheeffekts in InAlAs/InGaAs-Heterobipolar-Transistoren: Physikalische Modellbildung auf der Grundlage von Material- und Geometrieparametern (2008)
ISBN: 9783836467605 bzw. 3836467607, in Deutsch, 120 Seiten, VDM Verlag Dr. Müller, Taschenbuch, neu.
Von Händler/Antiquariat, Amazon.de.
Taschenbuch, Label: VDM Verlag Dr. Müller, VDM Verlag Dr. Müller, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2008-01-28, Freigegeben: 2008-01-28, Studio: VDM Verlag Dr. Müller.
Modellierung des Avalancheeffekts in InAlAs/InGaAs-Heterobipolar-Transistoren: Physikalische Modellbildung auf der Grundlage von Material- und Geometrieparametern (2008)
ISBN: 9783836467605 bzw. 3836467607, vermutlich in Deutsch, 120 Seiten, VDM Verlag Dr. Müller, neu.
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Von Händler/Antiquariat, Amazon.fr.
VDM Verlag Dr. Müller, Broché, Publiziert: 2008-01-28T00:00:01Z, Produktgruppe: Livre.
Modellierung Des Avalancheeffekts In Inalas/Ingaas-Heterobipolar-Transistoren: Physikalische Modellbildung Auf Der Grundlage Von Material- Und Geometrieparametern (2008)
ISBN: 9783836467605 bzw. 3836467607, vermutlich in Deutsch, Vdm Verlag Dr. Müller, Taschenbuch, neu.
Von Händler/Antiquariat, Revaluation Books.
Vdm Verlag Dr. Müller, 2008. Paperback. New. 120 pages. German language. 8.66x5.91x0.28 inches.