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100%: Meneghini, Matteo (Herausgeber); Zanoni, Enrico (Herausgeber); Meneghesso, Gaudenzio (Herausgeber): Power GaN Devices Materials, Applications and Reliability (ISBN: 9783319827568) 2018, in Englisch, Taschenbuch.Nur diese Ausgabe anzeigen…
56%: Herausgegeben:Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio: Power GaN Devices (ISBN: 9783319431970) in Deutsch, Broschiert.Nur diese Ausgabe anzeigen…
44%: Editor: Matteo Meneghini, Editor: Gaudenzio Meneghesso, Editor: Enrico Zanoni: Power GaN Devices (ISBN: 9783319431994) Erstausgabe, in Englisch, Taschenbuch.Nur diese Ausgabe anzeigen…
Power GaN Devices Materials, Applications and Reliability
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Power GaN Devices (2018)
~EN PB NW RPISBN: 9783319827568 bzw. 3319827561, vermutlich in Englisch, Springer / Springer International Publishing / Springer, Berlin, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
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Von Händler/Antiquariat, buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
This book presents the first comprehensive overview of the properties and fabrication methods of GaN-based power transistors, with contributions from the most active research groups in the field. It describes how gallium nitride has emerged as an excellent material for the fabrication of power transistors; thanks to the high energy gap, high breakdown field, and saturation velocity of GaN, these devices can reach breakdown voltages beyond the kV range, and very high switching frequencies, thus being suitable for application in power conversion systems. Based on GaN, switching-mode power converters with efficiency in excess of 99 % have been already demonstrated, thus clearing the way for massive adoption of GaN transistors in the power conversion market. This is expected to have important advantages at both the environmental and economic level, since power conversion losses account for 10 % of global electricity consumption. The first part of the book describes the properties and advantages of gallium nitride compared to conventional semiconductor materials. The second part of the book describes the techniques used for device fabrication, and the methods for GaN-on-Silicon mass production. Specific attention is paid to the three most advanced device structures: lateral transistors, vertical power devices, and nanowire-based HEMTs. Other relevant topics covered by the book are the strategies for normally-off operation, and the problems related to device reliability. The last chapter reviews the switching characteristics of GaN HEMTs based on a systems level approach. This book is a unique reference for people working in the materials, device and power electronics fields; it provides interdisciplinary information on material growth, device fabrication, reliability issues and circuit-level switching investigation. Softcover reprint of the original 1st ed. 2017. 2018. x, 380 S. X, 380 p. 306 illus., 266 illus. in col Versandfertig in 6-10 Tagen, Softcover, Neuware, Offene Rechnung (Vorkasse vorbehalten).
Von Händler/Antiquariat, buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
This book presents the first comprehensive overview of the properties and fabrication methods of GaN-based power transistors, with contributions from the most active research groups in the field. It describes how gallium nitride has emerged as an excellent material for the fabrication of power transistors; thanks to the high energy gap, high breakdown field, and saturation velocity of GaN, these devices can reach breakdown voltages beyond the kV range, and very high switching frequencies, thus being suitable for application in power conversion systems. Based on GaN, switching-mode power converters with efficiency in excess of 99 % have been already demonstrated, thus clearing the way for massive adoption of GaN transistors in the power conversion market. This is expected to have important advantages at both the environmental and economic level, since power conversion losses account for 10 % of global electricity consumption. The first part of the book describes the properties and advantages of gallium nitride compared to conventional semiconductor materials. The second part of the book describes the techniques used for device fabrication, and the methods for GaN-on-Silicon mass production. Specific attention is paid to the three most advanced device structures: lateral transistors, vertical power devices, and nanowire-based HEMTs. Other relevant topics covered by the book are the strategies for normally-off operation, and the problems related to device reliability. The last chapter reviews the switching characteristics of GaN HEMTs based on a systems level approach. This book is a unique reference for people working in the materials, device and power electronics fields; it provides interdisciplinary information on material growth, device fabrication, reliability issues and circuit-level switching investigation. Softcover reprint of the original 1st ed. 2017. 2018. x, 380 S. X, 380 p. 306 illus., 266 illus. in col Versandfertig in 6-10 Tagen, Softcover, Neuware, Offene Rechnung (Vorkasse vorbehalten).
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Gebr. - Power GaN Devices: Materials, Applications and Reliability (Power Electronics and Power Systems) (2017)
DE NWISBN: 9783319431970 bzw. 3319431978, in Deutsch, neu.
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Power GaN Devices (2017)
~DE HC NWISBN: 9783319431970 bzw. 3319431978, vermutlich in Deutsch, Springer / Springer International Publishing / Springer, Berlin, gebundenes Buch, neu.
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Power GaN Devices
DE NWISBN: 9783319431970 bzw. 3319431978, in Deutsch, 380 Seiten, Springer-Verlag GmbH, neu.
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Von Händler/Antiquariat, Buchhandlung Hoffmann, [3174608].
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Power GaN Devices - Materials, Applications and Reliability
DE HC NWISBN: 9783319431970 bzw. 3319431978, in Deutsch, Springer-Verlag Gmbh, gebundenes Buch, neu.
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Power GaN Devices Materials, Applications and Reliability Power Electronics and Power Systems Book Englisch 2016 (2016)
~DE HC NWISBN: 9783319431970 bzw. 3319431978, vermutlich in Deutsch, 380 Seiten, Springer-Verlag GmbH, gebundenes Buch, neu.
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Von Händler/Antiquariat, Buchbär, [6122477].
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7
Power GaN Devices
DE HC NWISBN: 9783319431970 bzw. 3319431978, in Deutsch, Springer Shop, gebundenes Buch, neu.
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Power GaN Devices
DE NW EBISBN: 9783319431970 bzw. 3319431978, in Deutsch, Springer International Publishing, neu, E-Book.
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Power GaN Devices
~DE NWISBN: 9783319431970 bzw. 3319431978, vermutlich in Deutsch, Springer / Springer International Publishing / Springer, Berlin, neu.
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10
Symbolbild
Power GaN Devices Materials, Applications and Reliability (2018)
~EN PB NW RPISBN: 3319827561 bzw. 9783319827568, vermutlich in Englisch, Springer International Publishing; Springer International Publishing AG, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
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