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100%: Zhiqiang Li: The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices (ISBN: 9783662570265) Springer Nature, in Englisch, Taschenbuch.Nur diese Ausgabe anzeigen…
82%: Zhiqiang Li: The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices als von (ISBN: 9783662496817) 2016, in Deutsch, Broschiert.Nur diese Ausgabe anzeigen…
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
~EN PB NWISBN: 9783662570265 bzw. 3662570262, vermutlich in Englisch, Springer Shop, Taschenbuch, neu.
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This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600℃ and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10−7Ω•cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node. Soft cover.
This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600℃ and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10−7Ω•cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node. Soft cover.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
DE HC NWISBN: 9783662496817 bzw. 366249681X, in Deutsch, Springer-Verlag Gmbh, gebundenes Buch, neu.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-Based Mos Devices
DE USISBN: 366249681X bzw. 9783662496817, in Deutsch, Springer, gebraucht.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
DE NWISBN: 9783662496817 bzw. 366249681X, in Deutsch, neu.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices als von Zhiqiang Li (2016)
DE NWISBN: 9783662496817 bzw. 366249681X, in Deutsch, Springer-Verlag GmbH, neu.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices ab 109.99 EURO Springer Theses. 1st ed. 2016.
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices ab 109.99 EURO Springer Theses. 1st ed. 2016.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
DE HC NWISBN: 9783662496817 bzw. 366249681X, in Deutsch, Springer Berlin Heidelberg, gebundenes Buch, neu.
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
DE NWISBN: 9783662570265 bzw. 3662570262, in Deutsch, Springer Nature, neu.
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