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Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik
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Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik (1948)
ISBN: 9783531022932 bzw. 3531022938, in Deutsch, VS Verlag für Sozialwissenschaften, neu.
Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik (1948)
ISBN: 9783531022932 bzw. 3531022938, in Deutsch, VS Verlag für Sozialwissenschaften, neu.
Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik
ISBN: 9783531022932 bzw. 3531022938, in Deutsch, Vs Verlag Für Sozialwissenschaften, Taschenbuch, neu.
Von Händler/Antiquariat, AHA-BUCH GmbH [51283250], Einbeck, Germany.
Neuware - Seit 1948, dem Jahr der Erfindung des Transistors und seiner bold darauf folgenden teehnischen EinfUhrung in die Elektronik, hot die Mikroelektro nik eine groI3e industrielle Bedeutung erlangt. Die aus vielen Grilnden, z. B. Steigerung der Grenzfrequenz, Verringerung des Volumens, Gewichts ersparnis und Steigerung der Zuverl~ssigkeit, angestrebte Miniaturisierung der elektrisehen Sehaltelemente konnte mit Hil fe zwe ier Teehnologien, der 'DUnnfilmteehnik' und der 'Holbleitertechnik', entscheidend vorangetrieben werden. In der DUnnfilmteehnik werden auf isolierende Tr~gerwerkstoffe wie Glas und Keramik naeh versehiedenen Verfahren MetalldUnnfilme von wenigen ~ bis zu 10 tm Dieke vor allem aus den VJerkstoffen Cr, Cu, Ni, Ta, Ag und Au aufgebracht. Durch Atzen und Ausblenden mit Hilfe von Masken ent stehen passive Sehaltelemente (Kondensatoren, Hiderstonde), die unter einander dureh gut lei tende Lei terbahnen verbunden werden. Die ~uI3eren AnsehlUsse dieser DUnnfilmschaltkreise werden hergestellt dureh Dr~hte, Flaehdrahte und B nder, die mit den auBen auf dem Substrat liegenden An sehluI3fl che n versehweiBt werden. Die Herkstoffe d ieser DurchfUhrungen, die naeh dem VersehweiBen meist mit Kunststoff umgossen werden, sind vor zugsweise Gold, Kupfer, Nickel und die Legierung Kovar. FUr die Ver bindungsprobleme an DUnnfilmsehaltungen eignen sieh dos Hiderstandspunkt-, dos Ultrasehall-, dos ThermokompressionsschweiBen und einige Lotverfahren. In der Halbleiterteehnik werden die Bauelemente dureh Diffusion von ver schiedenen Fremdatomen in einem Silizium-Einkristall meist mittels der Planar-Diffusionsteehnik hergestellt. Die elektrischen AnsehlUsse dieser aktiven Sehaltelemente (Transistoren, Dioden) werden von aufgedampften Aluminium-DUnnfilmstrukturen gebildet. Dos Kontaktieren, d. h. 110 pp. Deutsch.
Das Widerstands- Und Ultraschallschweissen ALS Verfahren Zum Verbinden Kleinster Bauelemente in Der Elektrotechnik (Paperback) (1972)
ISBN: 9783531022932 bzw. 3531022938, in Deutsch, Vs Verlag Fur Sozialwissenschaften, United States, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
Language: German,English Brand New Book ***** Print on Demand *****.Seit 1948, dem Jahr der Erfindung des Transistors und seiner bold darauf folgenden teehnischen EinfUhrung in die Elektronik, hot die Mikroelektro nik eine groI3e industrielle Bedeutung erlangt. Die aus vielen Grilnden, z. B. Steigerung der Grenzfrequenz, Verringerung des Volumens, Gewichts ersparnis und Steigerung der Zuverl ssigkeit, angestrebte Miniaturisierung der elektrisehen Sehaltelemente konnte mit Hil fe zwe ier Teehnologien, der DUnnfilmteehnik und der Holbleitertechnik, entscheidend vorangetrieben werden. In der DUnnfilmteehnik werden auf isolierende Tr gerwerkstoffe wie Glas und Keramik naeh versehiedenen Verfahren MetalldUnnfilme von wenigen bis zu 10 tm Dieke vor allem aus den VJerkstoffen Cr, Cu, Ni, Ta, Ag und Au aufgebracht. Durch Atzen und Ausblenden mit Hilfe von Masken ent stehen passive Sehaltelemente (Kondensatoren, Hiderstonde), die unter einander dureh gut lei tende Lei terbahnen verbunden werden. Die uI3eren AnsehlUsse dieser DUnnfilmschaltkreise werden hergestellt dureh Dr hte, Flaehdrahte und Bänder, die mit den auBen auf dem Substrat liegenden An sehluI3fläche n versehweiBt werden. Die Herkstoffe d ieser DurchfUhrungen, die naeh dem VersehweiBen meist mit Kunststoff umgossen werden, sind vor zugsweise Gold, Kupfer, Nickel und die Legierung Kovar. FUr die Ver bindungsprobleme an DUnnfilmsehaltungen eignen sieh dos Hiderstandspunkt-, dos Ultrasehall-, dos ThermokompressionsschweiBen und einige Lotverfahren. In der Halbleiterteehnik werden die Bauelemente dureh Diffusion von ver schiedenen Fremdatomen in einem Silizium-Einkristall meist mittels der Planar-Diffusionsteehnik hergestellt. Die elektrischen AnsehlUsse dieser aktiven Sehaltelemente (Transistoren, Dioden) werden von aufgedampften Aluminium-DUnnfilmstrukturen gebildet. Dos Kontaktieren, d. h.
Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik
ISBN: 9783531022932 bzw. 3531022938, in Deutsch, VS Verlag für Sozialwissenschaften, neu.
Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik, Seit 1948, dem Jahr der Erfindung des Transistors und seiner bold darauf folgenden teehnischen EinfUhrung in die Elektronik, hot die Mikroelektro nik eine groI3e industrielle Bedeutung erlangt. Die aus vielen Grilnden, z. B. Steigerung der Grenzfrequenz, Verringerung des Volumens, Gewichts ersparnis und Steigerung der Zuverl~ssigkeit, angestrebte Miniaturisierung der elektrisehen Sehaltelemente konnte mit Hil fe zwe ier Teehnologien, der "DUnnfilmteehnik" und der "Holbleitertechnik", entscheidend vorangetrieben werden. In der DUnnfilmteehnik werden auf isolierende Tr~gerwerkstoffe wie Glas und Keramik naeh versehiedenen Verfahren MetalldUnnfilme von wenigen ~ bis zu 10 tm Dieke vor allem aus den VJerkstoffen Cr, Cu, Ni, Ta, Ag und Au aufgebracht. Durch Atzen und Ausblenden mit Hilfe von Masken ent stehen passive Sehaltelemente (Kondensatoren, Hiderstonde), die unter einander dureh gut lei tende Lei terbahnen verbunden werden. Die ~uI3eren AnsehlUsse dieser DUnnfilmschaltkreise werden hergestellt dureh Dr~hte, Flaehdrahte und Bänder, die mit den auBen auf dem Substrat liegenden An sehluI3fläche n versehweiBt werden. Die Herkstoffe d ieser DurchfUhrungen, die naeh dem VersehweiBen meist mit Kunststoff umgossen werden, sind vor zugsweise Gold, Kupfer, Nickel und die Legierung Kovar. FUr die Ver bindungsprobleme an DUnnfilmsehaltungen eignen sieh dos Hiderstandspunkt-, dos Ultrasehall-, dos ThermokompressionsschweiBen und einige Lotverfahren. In der Halbleiterteehnik werden die Bauelemente dureh Diffusion von ver schiedenen Fremdatomen in einem Silizium-Einkristall meist mittels der Planar-Diffusionsteehnik hergestellt. Die elektrischen AnsehlUsse dieser aktiven Sehaltelemente (Transistoren, Dioden) werden von aufgedampften Aluminium-DUnnfilmstrukturen gebildet. Dos Kontaktieren, d. h.
Das Widerstands- und Ultraschallschweien als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik
ISBN: 9783663068044 bzw. 3663068048, vermutlich in Deutsch, Taschenbuch, neu.
Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik
ISBN: 9783663068044 bzw. 3663068048, vermutlich in Deutsch, Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik - eBook als pdf von Friedrich Ei... neu, E-Book, elektronischer Download.
Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik
ISBN: 9783663068044 bzw. 3663068048, in Deutsch, VS Verlag für Sozialw. neu, E-Book.
*Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik* / pdf eBook für 42.99 € / Aus dem Bereich: eBooks, Sachthemen & Ratgeber, Technik.
Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik / Forschungsberichte des Landes Nord (2013)
ISBN: 3663068048 bzw. 9783663068044, in Deutsch, 110 Seiten, VS Verlag für Sozialw. neu, E-Book, elektronischer Download.
Das Widerstands- und Ultraschallschweissen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik / Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen Bd.2293. 1972, 2013, 110 Seiten, eBooks.
Das Widerstands- und Ultraschallschweien als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik
ISBN: 9783663068044 bzw. 3663068048, vermutlich in Deutsch, neu, E-Book, elektronischer Download.