Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepassten und metamorphen (InGaAI)As-Verbindungshalbleitern
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Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepassten und metamorphen (InGaAI)As-Verbindungshalbleitern (1999)
DE PB NWISBN: 9783826548789 bzw. 3826548787, in Deutsch, 170 Seiten, Shaker Verlag, Taschenbuch, neu.
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Von Händler/Antiquariat, Shaker Verlag GmbH.
Shaker Verlag, Taschenbuch, Publiziert: 1999-03-29T00:00:01Z, Produktgruppe: Book.
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Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepassten und metamorphen (InGaAI)As-Verbindungshalbleitern (1999)
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Von Händler/Antiquariat, Shaker_Verlag_GmbH.
Taschenbuch, Label: Shaker Verlag, Shaker Verlag, Produktgruppe: Book, Publiziert: 1999-03-29, Studio: Shaker Verlag.
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Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepassten und metamorphen (InGaAI)As-Verbindungshalbleitern (1999)
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Taschenbuch, التسمية: Shaker Verlag, Shaker Verlag, مجموعة المنتجات: Book, ونشرت: 1999-03-29, ستوديو: Shaker Verlag.
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Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepassten und metamorphen (InGaAI)As-Verbindungshalbleitern
DE USISBN: 9783826548789 bzw. 3826548787, Band: 1, in Deutsch, Shaker, Aachen, Deutschland, gebraucht.
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