Ingan-Basierte Semipolare Und Nichtpolare Lichtemitter (Paperback)
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Ingan-Basierte Semipolare Und Nichtpolare Lichtemitter
ISBN: 9783838134079 bzw. 3838134079, in Deutsch, Sudwestdeutscher Verlag Fur Hochschulschriften AG, Taschenbuch, neu.
Paperback. 228 pages. Dimensions: 8.7in. x 5.9in. x 0.5in.Mit dem InGaN-Materialsystem knnen LEDs und Laser im sichtbaren Spektralbereich fr vielfltige Anwendungen hergestellt werden. In Bauelementen auf der polaren c-Ebene existieren Polarisationsfelder, die die Effizienz reduzieren. In gegenber der c-Ebene verkippten nichtpolaren und semipolaren Ebenen sind die Felder reduziert. Die reduzierte Kristallsymmetrie erzeugt neue technologische Herausforderungen und physikalische Effekte, deren Untersuchung Gegenstand der Arbeit waren. Neben Prozessierungsverfahren fr Lichtemitter wurden Methoden zur Herstellung ohmscher Metall-Halbleiterkontakte sowie Verfahren zur Herstellung glatter Laserspiegel entwickelt. Es wurden LEDs sowie optisch pumpbare Laser im ultravioletten, violetten, blauen und grnen Spektralbereich auf diversen Ebenen hergestellt und der Einfluss der Kristallorientierung auf LED- und Laserparameter wurde analysiert. Die Polarisationsfelder in Quantenfilmen auf verschieden Kristallorientierungen wurden experimentell bestimmt. Es wurde gezeigt, dass in semipolaren Lasern durch die anisotropen Valenzsubbnder sowie die Doppelbrechung im Wurtzitkristall der Gewinn abhngig von der Ausrichtung des Laserresonators ist. This item ships from multiple locations. Your book may arrive from Roseburg,OR, La Vergne,TN.
InGaN-basierte semipolare und nichtpolare Lichtemitter (2012)
ISBN: 9783838134079 bzw. 3838134079, in Deutsch, Südwestdeutscher Verlag Für Hochschulschriften AG Co. KG Sep 2012, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware - Mit dem InGaN-Materialsystem können LEDs und Laser im sichtbaren Spektralbereich für vielfältige Anwendungen hergestellt werden. In Bauelementen auf der polaren c-Ebene existieren Polarisationsfelder, die die Effizienz reduzieren. In gegenüber der c-Ebene verkippten nichtpolaren und semipolaren Ebenen sind die Felder reduziert. Die reduzierte Kristallsymmetrie erzeugt neue technologische Herausforderungen und physikalische Effekte, deren Untersuchung Gegenstand der Arbeit waren. Neben Prozessierungsverfahren für Lichtemitter wurden Methoden zur Herstellung ohmscher Metall-Halbleiterkontakte sowie Verfahren zur Herstellung glatter Laserspiegel entwickelt. Es wurden LEDs sowie optisch pumpbare Laser im ultravioletten, violetten, blauen und grünen Spektralbereich auf diversen Ebenen hergestellt und der Einfluss der Kristallorientierung auf LED- und Laserparameter wurde analysiert. Die Polarisationsfelder in Quantenfilmen auf verschieden Kristallorientierungen wurden experimentell bestimmt. Es wurde gezeigt, dass in semipolaren Lasern durch die anisotropen Valenzsubbänder sowie die Doppelbrechung im Wurtzitkristall der Gewinn abhängig von der Ausrichtung des Laserresonators ist. 228 pp. Deutsch.
InGaN-basierte semipolare und nichtpolare Lichtemitter : Charakterisierung von InGaN-basierten Lichtemittern auf semipolaren und nichtpolaren Halbleiteroberflächen (2015)
ISBN: 9783838134079 bzw. 3838134079, vermutlich in Deutsch, Südwestdeutscher Verlag Für Hochschulschriften AG Co. KG Jul 2015, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
Von Händler/Antiquariat, AHA-BUCH GmbH [51283250], Einbeck, Germany.
This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - Mit dem InGaN-Materialsystem können LEDs und Laser im sichtbaren Spektralbereich für vielfältige Anwendungen hergestellt werden. In Bauelementen auf der polaren c-Ebene existieren Polarisationsfelder, die die Effizienz reduzieren. In gegenüber der c-Ebene verkippten nichtpolaren und semipolaren Ebenen sind die Felder reduziert. Die reduzierte Kristallsymmetrie erzeugt neue technologische Herausforderungen und physikalische Effekte, deren Untersuchung Gegenstand der Arbeit waren. Neben Prozessierungsverfahren für Lichtemitter wurden Methoden zur Herstellung ohmscher Metall-Halbleiterkontakte sowie Verfahren zur Herstellung glatter Laserspiegel entwickelt. Es wurden LEDs sowie optisch pumpbare Laser im ultravioletten, violetten, blauen und grünen Spektralbereich auf diversen Ebenen hergestellt und der Einfluss der Kristallorientierung auf LED- und Laserparameter wurde analysiert. Die Polarisationsfelder in Quantenfilmen auf verschieden Kristallorientierungen wurden experimentell bestimmt. Es wurde gezeigt, dass in semipolaren Lasern durch die anisotropen Valenzsubbänder sowie die Doppelbrechung im Wurtzitkristall der Gewinn abhängig von der Ausrichtung des Laserresonators ist. 228 pp. Deutsch.
InGaN-basierte semipolare und nichtpolare Lichtemitter
ISBN: 9783838134079 bzw. 3838134079, in Deutsch, 228 Seiten, Südwestdeutscher Verlag für Hochschulschriften AG Co. KG, Taschenbuch, neu.
Von Händler/Antiquariat, Rheinberg-Buch, [3813847].
Neuware - Mit dem InGaN-Materialsystem können LEDs und Laser im sichtbaren Spektralbereich für vielfältige Anwendungen hergestellt werden. In Bauelementen auf der polaren c-Ebene existieren Polarisationsfelder, die die Effizienz reduzieren. In gegenüber der c-Ebene verkippten nichtpolaren und semipolaren Ebenen sind die Felder reduziert. Die reduzierte Kristallsymmetrie erzeugt neue technologische Herausforderungen und physikalische Effekte, deren Untersuchung Gegenstand der Arbeit waren. Neben Prozessierungsverfahren für Lichtemitter wurden Methoden zur Herstellung ohmscher Metall-Halbleiterkontakte sowie Verfahren zur Herstellung glatter Laserspiegel entwickelt. Es wurden LEDs sowie optisch pumpbare Laser im ultravioletten, violetten, blauen und grünen Spektralbereich auf diversen Ebenen hergestellt und der Einfluss der Kristallorientierung auf LED- und Laserparameter wurde analysiert. Die Polarisationsfelder in Quantenfilmen auf verschieden Kristallorientierungen wurden experimentell bestimmt. Es wurde gezeigt, dass in semipolaren Lasern durch die anisotropen Valenzsubbänder sowie die Doppelbrechung im Wurtzitkristall der Gewinn abhängig von der Ausrichtung des Laserresonators ist. Taschenbuch, Neuware, 220x150x14 mm, 356g, 228, Internationaler Versand, PayPal, Offene Rechnung, Banküberweisung, Sofortüberweisung.
InGaN-basierte semipolare und nichtpolare Lichtemitter
ISBN: 9783838134079 bzw. 3838134079, in Deutsch, neu, Hörbuch.
Mit dem InGaN-Materialsystem können LEDs und Laser im sichtbaren Spektralbereich für vielfältige Anwendungen hergestellt werden. In Bauelementen auf der polaren c-Ebene existieren Polarisationsfelder, die die Effizienz reduzieren. In gegenüber der c-Ebene verkippten nichtpolaren und semipolaren Ebenen sind die Felder reduziert. Die reduzierte Kristallsymmetrie erzeugt neue technologische Herausforderungen und physikalische Effekte, deren Untersuchung Gegenstand der Arbeit waren. Neben Prozessierungsverfahren für Lichtemitter wurden Methoden zur Herstellung ohmscher Metall-Halbleiterkontakte sowie Verfahren zur Herstellung glatter Laserspiegel entwickelt. Es wurden LEDs sowie optisch pumpbare Laser im ultravioletten, violetten, blauen und grünen Spektralbereich auf diversen Ebenen hergestellt und der Einfluss der Kristallorientierung auf LED- und Laserparameter wurde analysiert. Die Polarisationsfelder in Quantenfilmen auf verschieden Kristallorientierungen wurden experimentell bestimmt. Es wurde gezeigt, dass in semipolaren Lasern durch die anisotropen Valenzsubbänder sowie die Doppelbrechung im Wurtzitkristall der Gewinn abhängig von der Ausrichtung des Laserresonators ist.
InGaN-basierte semipolare und nichtpolare Lichtemitter - Charakterisierung von InGaN-basierten Lichtemittern auf semipolaren und nichtpolaren Halbleiteroberflächen
ISBN: 9783838134079 bzw. 3838134079, in Deutsch, Südwestdeutscher Verlag Für Hochschulschriften, Taschenbuch, neu.
InGaN-basierte semipolare und nichtpolare Lichtemitter: Mit dem InGaN-Materialsystem können LEDs und Laser im sichtbaren Spektralbereich für vielfältige Anwendungen hergestellt werden. In Bauelementen auf der polaren c-Ebene existieren Polarisationsfelder, die die Effizienz reduzieren. In gegenüber der c-Ebene verkippten nichtpolaren und semipolaren Ebenen sind die Felder reduziert. Die reduzierte Kristallsymmetrie erzeugt neue technologische Herausforderungen und physikalische Effekte, deren Untersuchung Gegenstand der Arbeit waren. Neben Prozessierungsverfahren für Lichtemitter wurden Methoden zur Herstellung ohmscher Metall-Halbleiterkontakte sowie Verfahren zur Herstellung glatter Laserspiegel entwickelt. Es wurden LEDs sowie optisch pumpbare Laser im ultravioletten, violetten, blauen und grünen Spektralbereich auf diversen Ebenen hergestellt und der Einfluss der Kristallorientierung auf LED- und Laserparameter wurde analysiert. Die Polarisationsfelder in Quantenfilmen auf verschieden Kristallorientierungen wurden experimentell bestimmt. Es wurde gezeigt, dass in semipolaren Lasern durch die anisotropen Valenzsubbänder sowie die Doppelbrechung im Wurtzitkristall der Gewinn abhängig von der Ausrichtung des Laserresonators ist. Taschenbuch.
Ingan-Basierte Semipolare Und Nichtpolare Lichtemitter (Paperback) (2015)
ISBN: 9783838134079 bzw. 3838134079, vermutlich in Deutsch, Sudwestdeutscher Verlag Fur Hochschulschriften AG, United States, Taschenbuch, neu.
Language: German. Brand new Book. Mit dem InGaN-Materialsystem konnen LEDs und Laser im sichtbaren Spektralbereich fur vielfaltige Anwendungen hergestellt werden. In Bauelementen auf der polaren c-Ebene existieren Polarisationsfelder, die die Effizienz reduzieren. In gegenuber der c-Ebene verkippten nichtpolaren und semipolaren Ebenen sind die Felder reduziert. Die reduzierte Kristallsymmetrie erzeugt neue technologische Herausforderungen und physikalische Effekte, deren Untersuchung Gegenstand der Arbeit waren. Neben Prozessierungsverfahren fur Lichtemitter wurden Methoden zur Herstellung ohmscher Metall-Halbleiterkontakte sowie Verfahren zur Herstellung glatter Laserspiegel entwickelt. Es wurden LEDs sowie optisch pumpbare Laser im ultravioletten, violetten, blauen und grunen Spektralbereich auf diversen Ebenen hergestellt und der Einfluss der Kristallorientierung auf LED- und Laserparameter wurde analysiert. Die Polarisationsfelder in Quantenfilmen auf verschieden Kristallorientierungen wurden experimentell bestimmt. Es wurde gezeigt, dass in semipolaren Lasern durch die anisotropen Valenzsubbander sowie die Doppelbrechung im Wurtzitkristall der Gewinn abhangig von der Ausrichtung des Laserresonators ist.".
Ingan-Basierte Semipolare Und Nichtpolare Lichtemitter (2012)
ISBN: 9783838134079 bzw. 3838134079, in Deutsch, Südwestdeutscher Verlag für Hochschulschriften, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
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