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100%: Raue, Peter: Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen (ISBN: 9783838660691) in Deutsch, Taschenbuch.Nur diese Ausgabe anzeigen…
85%: Peter Raue: Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen (ISBN: 9783832460693) 2002, Diplomica Verlag, in Deutsch, Taschenbuch.Nur diese Ausgabe anzeigen…
Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen (2002)
DE NW EBISBN: 9783832460693 bzw. 3832460691, in Deutsch, Diplom.de, neu, E-Book.
Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben ... Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht [], 13.11.2002, PDF.
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen
DE NW EB DLISBN: 9783832460693 bzw. 3832460691, in Deutsch, diplom.de, neu, E-Book, elektronischer Download.
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Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht gezüchteter Kristalle96 F.Heizprogramm103.
Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht gezüchteter Kristalle96 F.Heizprogramm103.
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen (2002)
DE NW EBISBN: 9783832460693 bzw. 3832460691, in Deutsch, Diplom.de, neu, E-Book.
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Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben ... Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht [], PDF, 13.11.2002.
Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben ... Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht [], PDF, 13.11.2002.
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen (2000)
DE NWISBN: 9783838660691 bzw. 3838660692, in Deutsch, GRIN, neu.
Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht gezüchteter Kristalle96 F.Heizprogramm103, 21.0 x 14.8 x 0.8 cm, Buch.
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen
DE PB NWISBN: 9783838660691 bzw. 3838660692, in Deutsch, Grin Verlag Diplom.De, Taschenbuch, neu.
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buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht gezüchteter Kristalle96 F.Heizprogramm1032002. 116 S. 210 mmVersandfertig in 3-5 Tagen, Softcover.
buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht gezüchteter Kristalle96 F.Heizprogramm1032002. 116 S. 210 mmVersandfertig in 3-5 Tagen, Softcover.
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Symbolbild
Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen (2000)
DE PB NW RPISBN: 9783838660691 bzw. 3838660692, in Deutsch, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware - Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht gezüchteter Kristalle96 F.Heizprogramm103 116 pp. Deutsch.
This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware - Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht gezüchteter Kristalle96 F.Heizprogramm103 116 pp. Deutsch.
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen
DE NWISBN: 9783832460693 bzw. 3832460691, in Deutsch, Diplomica Verlag, neu.
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen: Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht gezüchteter Kristalle96 F.Heizprogramm103, Ebook.
Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen: Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben. Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: 1.Grundlagen5 1.1Das System Silizium-Germanium5 1.1.1Phasendiagramm5 1.1.2Verteilungskoeffizient k6 1.1.3Makrosegregation8 1.1.4Konstitutionelle Unterkühlung9 1.1.5Physikalische Eigenschaften10 1.1.6Kristallstruktur12 1.1.7Ursachen für Versetzungen12 1.2Ergebnisse aus der Literatur15 1.3Methodisches Vorgehen17 2.Kristallzüchtung20 2.1Verwendete Züchtungsapparatur20 2.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld22 2.3Der Tiegel25 2.4Die Züchtung28 2.4.1Züchtungsablauf28 2.4.2Temperaturmessung29 2.5Proben-Präparation33 2.5.1Polieren33 3.Segregation34 3.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe34 3.1.2Diskussion42 3.1.3Verlauf der Phasengrenze46 3.2Mikrosegregation47 4.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium53 4.1.1Anätzen von Defekten53 4.1.2Versetzungen56 4.1.3Korngrenzen59 4.2Elektrische Eigenschaften61 4.2.1Diffusionslänge61 4.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands63 4.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten64 4.3Sauerstoff in Silizium-Germanium65 4.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration71 5.SiGe-Solarzellen73 5.1Solar-Zell-Prozessierung73 5.2Charakterisierung73 5.3Diskussion der Ergebnisse77 Zusammenfassung und Ausblick79 Literaturverzeichnis81 Anhang87 A.Symbole und Abkürzungen87 B.Abbildungsverzeichnis89 C.Tabellenverzeichnis92 D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93 E.Übersicht gezüchteter Kristalle96 F.Heizprogramm103, Ebook.
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen
DE NW EB DLISBN: 9783832460693 bzw. 3832460691, in Deutsch, diplom.de, neu, E-Book, elektronischer Download.
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Inhaltsangabe:Zusammenfassung:System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[]System.String[].
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen
DE NWISBN: 9783832460693 bzw. 3832460691, in Deutsch, neu.
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Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Inhaltsangabe:Zusammenfassung:Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben.Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden.Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis:1.Grundlagen51.1Das System Silizium-Germanium51.1.1Phasendiagramm51.1.2Verteilungskoeffizient k61.1.3Makrosegregation81.1.4Konstitutionelle Unterkühlung91.1.5Physikalische Eigenschaften101.1.6Kristallstruktur121.1.7Ursachen für Versetzungen121.2Ergebnisse aus der Literatur151.3Methodisches Vorgehen172.Kristallzüchtung202.1Verwendete Züchtungsapparatur202.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld222.3Der Tiegel252.4Die Züchtung282.4.1Züchtungsablauf282.4.2Temperaturmessung292.5Proben-Präparation332.5.1Polieren333.Segregation343.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe343.1.2Diskussion423.1.3Verlauf der Phasengrenze463.2Mikrosegregation474.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium534.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium534.1.1Anätzen von Defekten534.1.2Versetzungen564.1.3Korngrenzen594.2Elektrische Eigenschaften614.2.1Diffusionslänge614.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands634.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten644.3Sauerstoff in Silizium-Germanium654.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration715.SiGe-Solarzellen735.1Solar-Zell-Prozessierung735.2Charakterisierung735.3Diskussion der Ergebnisse77Zusammenfassung und Ausblick79Literaturverzeichnis81Anhang87A.Symbole und Abkürzungen87B.Abbildungsverzeichnis89C.Tabellenverzeichnis92D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93E.Übersicht gezüchteter Kristalle96F.Heizprogramm103.
Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Inhaltsangabe:Zusammenfassung:Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben.Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden.Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis:1.Grundlagen51.1Das System Silizium-Germanium51.1.1Phasendiagramm51.1.2Verteilungskoeffizient k61.1.3Makrosegregation81.1.4Konstitutionelle Unterkühlung91.1.5Physikalische Eigenschaften101.1.6Kristallstruktur121.1.7Ursachen für Versetzungen121.2Ergebnisse aus der Literatur151.3Methodisches Vorgehen172.Kristallzüchtung202.1Verwendete Züchtungsapparatur202.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld222.3Der Tiegel252.4Die Züchtung282.4.1Züchtungsablauf282.4.2Temperaturmessung292.5Proben-Präparation332.5.1Polieren333.Segregation343.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe343.1.2Diskussion423.1.3Verlauf der Phasengrenze463.2Mikrosegregation474.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium534.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium534.1.1Anätzen von Defekten534.1.2Versetzungen564.1.3Korngrenzen594.2Elektrische Eigenschaften614.2.1Diffusionslänge614.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands634.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten644.3Sauerstoff in Silizium-Germanium654.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration715.SiGe-Solarzellen735.1Solar-Zell-Prozessierung735.2Charakterisierung735.3Diskussion der Ergebnisse77Zusammenfassung und Ausblick79Literaturverzeichnis81Anhang87A.Symbole und Abkürzungen87B.Abbildungsverzeichnis89C.Tabellenverzeichnis92D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93E.Übersicht gezüchteter Kristalle96F.Heizprogramm103.
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen
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Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen, Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Zusammenfassung:Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben.Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden.Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis:1.Grundlagen51.1Das System Silizium-Germanium51.1.1Phasendiagramm51.1.2Verteilungskoeffizient k61.1.3Makrosegregation81.1.4Konstitutionelle Unterkühlung91.1.5Physikalische Eigenschaften101.1.6Kristallstruktur121.1.7Ursachen für Versetzungen121.2Ergebnisse aus der Literatur151.3Methodisches Vorgehen172.Kristallzüchtung202.1Verwendete Züchtungsapparatur202.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld222.3Der Tiegel252.4Die Züchtung282.4.1Züchtungsablauf282.4.2Temperaturmessung292.5Proben-Präparation332.5.1Polieren333.Segregation343.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe343.1.2Diskussion423.1.3Verlauf der Phasengrenze463.2Mikrosegregation474.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium534.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium534.1.1Anätzen von Defekten534.1.2Versetzungen564.1.3Korngrenzen594.2Elektrische Eigenschaften614.2.1Diffusionslänge614.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands634.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten644.3Sauerstoff in Silizium-Germanium654.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration715.SiGe-Solarzellen735.1Solar-Zell-Prozessierung735.2Charakterisierung735.3Diskussion der Ergebnisse77Zusammenfassung und Ausblick79Literaturverzeichnis81Anhang87A.Symbole und Abkürzungen87B.Abbildungsverzeichnis89C.Tabellenverzeichnis92D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93E.Übersicht gezüchteter Kristalle96F.Heizprogramm103.
Züchtung und Charakterisierung von siliziumreichem, multikristallinem Silizium-Germanium für Solarzellenanwendungen, Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2000 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,0, Technische Universität Bergakademie Freiberg (unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Zusammenfassung:Multikristalline Silizium-Germanium-Kristalle mit bis zu 15 at% Ge wurden ohne Keim in einem Tiegel gezüchtet. Die mikrostrukturellen Eigenschaften wurden nicht von der in dieser Arbeit entwickelten Tiegelkonstruktion beeinflusst. Die Kristalle zeigen mit ± 0,2 at% (absolut) geringe Ge-Fluktuationen und haben niedrige Versetzungsdichten im Bereich von 105 cm-2. Die Segregation liess sich mit der Pfann-Formel für eine vollständig durchmischte Schmelze gut beschreiben.Der beobachtete effektive Ge-Verteilungskoeffizient fiel von 0,35 zu Beginn der Züchtung auf 0,16 am Ende der kontrollierten Erstarrung. Solarzellen wurden aus SiGe-Wafern mit 11 at% Ge prozessiert. Sie haben Wirkungsgrade von bis zu 4,8 %. LBIC-Messungen zeigen Zellbereiche mit einer internen Quanten-Effizienz von über 90 %. Starke Kurzschlussströme über den Rand der Zellen und unter Kontaktfingern konnten in Thermographie-Untersuchungen nachgewiesen werden.Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis:1.Grundlagen51.1Das System Silizium-Germanium51.1.1Phasendiagramm51.1.2Verteilungskoeffizient k61.1.3Makrosegregation81.1.4Konstitutionelle Unterkühlung91.1.5Physikalische Eigenschaften101.1.6Kristallstruktur121.1.7Ursachen für Versetzungen121.2Ergebnisse aus der Literatur151.3Methodisches Vorgehen172.Kristallzüchtung202.1Verwendete Züchtungsapparatur202.2Züchtung in einem elektromagnetischen Mittelfrequenzfeld222.3Der Tiegel252.4Die Züchtung282.4.1Züchtungsablauf282.4.2Temperaturmessung292.5Proben-Präparation332.5.1Polieren333.Segregation343.1Axiale Germanium-Konzentrations-Verläufe343.1.2Diskussion423.1.3Verlauf der Phasengrenze463.2Mikrosegregation474.Eigenschaften von multikristallinem Silizium-Germanium534.1Defekte in multikristallinem Silizium-Germanium534.1.1Anätzen von Defekten534.1.2Versetzungen564.1.3Korngrenzen594.2Elektrische Eigenschaften614.2.1Diffusionslänge614.2.2Ortsaufgelöste Bestimmung des Widerstands634.2.3Ladungsträger-Beweglichkeit und Dichte der Majoritäten644.3Sauerstoff in Silizium-Germanium654.4Bandlücke als Funktion der Ge-Konzentration715.SiGe-Solarzellen735.1Solar-Zell-Prozessierung735.2Charakterisierung735.3Diskussion der Ergebnisse77Zusammenfassung und Ausblick79Literaturverzeichnis81Anhang87A.Symbole und Abkürzungen87B.Abbildungsverzeichnis89C.Tabellenverzeichnis92D.Materialeigenschaften von Silizium und Germanium93E.Übersicht gezüchteter Kristalle96F.Heizprogramm103.
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