GaN-Based Tri-Gate High Electron Mobility Transistors. (Science for systems)
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GaN-Based Tri-Gate High Electron Mobility Transistors. (Science for systems) (2018)
EN PB NWISBN: 9783839613412 bzw. 3839613418, in Englisch, 169 Seiten, Fraunhofer Verlag, Taschenbuch, neu.
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GaN-Based Tri-Gate High Electron Mobility Transistors.
DE HC NWISBN: 9783839613412 bzw. 3839613418, in Deutsch, Books On Demand; Fraunhofer Verlag, gebundenes Buch, neu.
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GaN-Based Tri-Gate High Electron Mobility Transistors. (2018)
DE NW RPISBN: 9783839613412 bzw. 3839613418, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, neu, Nachdruck.
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DE NW RPISBN: 9783839613412 bzw. 3839613418, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, neu, Nachdruck.
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