Rashba Spin-ORBIT Interaction in Low and High Magnetic Fields
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Rashba Spin-Orbit Interaction in Low and High Magnetic Fields (2005)
DE PB NW FE
ISBN: 9783865374493 bzw. 3865374492, in Deutsch, 102 Seiten, Cuvillier, E, Taschenbuch, neu, Erstausgabe.
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Von Händler/Antiquariat, cuvillier.
n dieser Arbeit wird die Rashba Spin-Bahn Wechselwirkung in zweidimensionalen Elektronengasen(2DEG) von III-V Schmalbandhalbleitern untersucht. Hauptursache der Spin-Bahn Wechselwirkung ist in diesen Halbleitern Strukturinversionsasymmetrie, deren Stärke durch den Rashba Parameter a beschrieben wird. Die Potentialgradienten senkrecht zum 2DEG und die Grenzflächen tragen zu a bei. In dieser Arbeit werden drei Messmethoden verwendet, um a zu bestimmen: Shubnikov-de Haas (SdH) Oszillationen in starken äusseren Magnetfeldern und Schwache Antilokalisierung (WAL) sowie Al'tshuler-Aronov-Spivak (AAS) Oszillationen in kleinen externen Magnetfeldern. Die Stärke von a wird durch Anlegen von Gatespannungen geregelt. Messungen an Inversionsschichten von p-Typ InAs Einkristallen sowie an InAs/In0.75Ga0.25As Heterostrukturen zeigen SdH Oszillationen und WAL. Taschenbuch, Ausgabe: 1., Aufl. Label: Cuvillier, E, Cuvillier, E, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2005-05, Studio: Cuvillier, E.
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n dieser Arbeit wird die Rashba Spin-Bahn Wechselwirkung in zweidimensionalen Elektronengasen(2DEG) von III-V Schmalbandhalbleitern untersucht. Hauptursache der Spin-Bahn Wechselwirkung ist in diesen Halbleitern Strukturinversionsasymmetrie, deren Stärke durch den Rashba Parameter a beschrieben wird. Die Potentialgradienten senkrecht zum 2DEG und die Grenzflächen tragen zu a bei. In dieser Arbeit werden drei Messmethoden verwendet, um a zu bestimmen: Shubnikov-de Haas (SdH) Oszillationen in starken äusseren Magnetfeldern und Schwache Antilokalisierung (WAL) sowie Al'tshuler-Aronov-Spivak (AAS) Oszillationen in kleinen externen Magnetfeldern. Die Stärke von a wird durch Anlegen von Gatespannungen geregelt. Messungen an Inversionsschichten von p-Typ InAs Einkristallen sowie an InAs/In0.75Ga0.25As Heterostrukturen zeigen SdH Oszillationen und WAL. Taschenbuch, Ausgabe: 1., Aufl. Label: Cuvillier, E, Cuvillier, E, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2005-05, Studio: Cuvillier, E.
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n dieser Arbeit wird die Rashba Spin-Bahn Wechselwirkung in zweidimensionalen Elektronengasen(2DEG) von III-V Schmalbandhalbleitern untersucht. Hauptursache der Spin-Bahn Wechselwirkung ist in diesen Halbleitern Strukturinversionsasymmetrie, deren Stärke durch den Rashba Parameter a beschrieben wird. Die Potentialgradienten senkrecht zum 2DEG und die Grenzflächen tragen zu a bei. In dieser Arbeit werden drei Messmethoden verwendet, um a zu bestimmen: Shubnikov-de Haas (SdH) Oszillationen in starken äusseren Magnetfeldern und Schwache Antilokalisierung (WAL) sowie Al'tshuler-Aronov-Spivak (AAS) Oszillationen in kleinen externen Magnetfeldern. Die Stärke von a wird durch Anlegen von Gatespannungen geregelt. Messungen an Inversionsschichten von p-Typ InAs Einkristallen sowie an InAs/In0.75Ga0.25As Heterostrukturen zeigen SdH Oszillationen und WAL. Taschenbuch, Ausgabe: 1., Aufl. Label: Cuvillier, E, Cuvillier, E, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2005-05, Studio: Cuvillier, E, Verkaufsrang: 5170582.
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